LAS VEGAS – 3 Gennaio, 2023 – onsemi (Nasdaq: ON), azienda leader nei settori delle tecnologie di rilevamento e della potenza intelligente, ha reso noto il nome della propria famiglia di dispositivi in carburo di silicio (SiC). Denominata “EliteSiC”, la serie si è arricchita con l'introduzione di tre membri, un MOSFET da 1700 V e due diodi Schottky “avalache-rated” da 1700 V, presentati durante il Consumer Electronics Show (CES) di Las Vegas. I nuovi dispositivi, che assicurano affidabilità ed elevata efficienza in applicazioni di azionamento e infrastrutture energetiche, testimoniano la posizione di leadership di onsemi nel settore delle soluzioni in carburo di silicio destinate al mondo industriale.
Con il nuovo MOSFET EliteSiC da 1700 V (NTH4L028N170M1), onsemi propone una soluzione in carburo di silicio caratterizzata da una tensione di rottura (BV - Breakdown Voltage) più elevata, come richiesto nelle applicazioni industriali ad alta potenza. I due diodi Shottky EliteSiC da 1700 V (NDSH25170A, NDSH10170A) consentono ai progettisti di ottenere un funzionamento stabile ad alta tensione in presenza di temperature elevate, assicurando nel contempo i maggiori livelli di efficienza tipici dei dispositivi SiC.
“Grazie alla loro migliore efficienza abbinata a perdite di potenza ridotte – ha affermato Simon Keeton, executive vice president e general manager del Power Solutions Group di onsemi – i nuovi dispositivi EliteSiC da 1700 V contribuiscono ad aumentare i già elevati standard di qualità e prestazioni che contraddistinguono i membri di questa famiglia, oltre a espandere ulteriormente la loro versatilità di utilizzo e le potenzialità applicative. Insieme alla capacità di gestire l'intero processo produttivo dei dispositivi SiC, onsemi mette a disposizione la tecnologia e la garanzia di fornitura necessarie per soddisfare le esigenze dei fornitori di azionamenti e di infrastrutture energetiche industriali”.
Nel settore delle energie rinnovabili la tendenza è utilizzare tensioni più elevate e i sistemi fotovoltaici stanno quindi adottando bus in continua (DC) con tensioni di 1500 V (invece di bus a 1100 V). Per supportare questo cambiamento, i clienti richiedono MOSFET caratterizzati da valori di BV più elevati. Il nuovo MOSFET EliteSiC da 1700 V, con un intervallo della tensione tra gate e source (Vgs) di -15/25 V (max.), è adatto all'uso in applicazioni di commutazione veloci, dove le tensioni di gate possono arrivare a -10 V, assicurando una maggiore affidabilità del sistema.
Nei test effettuati a 1200 V (40 A), il MOSFET EliteSiC da 1700 V ha fatto registrare una carica di gate (Qg) di 200 nC – un risultato decisamente migliore rispetto a quello di dispositivi equivalenti, caratterizzati da valori di Qg prossimi a 300 nC. Un ridotto valore di Qg è un parametro critico per ottenere un'elevata efficienza in applicazioni di energie rinnovabili ad alta potenza ed elevata velocità di commutazione.
Alla tensione di rottura nominale di 1700 V, i diodi Schottky della serie EliteSiC garantiscono un margine migliore tra la massima tensione inversa (VRRM) e la tensione inversa ripetitiva di picco del diodo. I nuovi dispositivi assicurano eccellenti prestazioni per quanto riguarda le perdite in conduzione inversa, con una corrente inversa (IR) massima di soli 40 µA (a 25°C) e 100 µA (a 175°C) – valori significativamente migliori rispetto a quelli di dispositivi analoghi, spesso caratterizzati da correnti inverse nominali di 100 µA (a 25°C).
Per ulteriori informazioni sulle soluzioni EliteSiC di onsemi è possibile visitare il sito onsemi.com o lo stand della società durante CES 2023 a Las Vegas, NV, dal 5 all'8 gennaio p.v.
